2015 Program 


Special Topics

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显示周学术会议: 有源矩阵设备

显示周学术会议: 星期 三, 6月3日2015年

29.1
Miki Trifunovic
Delft University of Technology
在纸相容温度下,溶液处理的多晶矽 TFT 制程 10:40 AM-11:00 AM
有机与金属氧化物半导体 (metal-oxide semiconductor) 制成的印刷 TFT 在电气性能与可靠度上比晶矽TFT 差。环戊矽烷 (Cyclopentasilane) 为液体化合物,经过 UV 聚合与 350ºC 热退火 (thermal annealing) 可以转化为固体矽,让矽装置可以印制。由于添加法的应用,此制程大为简单且便宜。但热退火对 PET、PEN 或纸等便宜基板来说温度太高。我们首次在最高温 150ºC 下应用液态矽油墨制作多晶矽与 TFT,并以准分子雷射退火 (excimer laser annealing) 取代热退火步骤。我们在便宜的纸基板上制成多晶矽。此方法可以有其他新应用,例如可生物分解的高速 ID 标签,其上附有供物联网使用的感测器,此装置可以透过卷对卷 (roll-to-roll) 流程大量生产,而且制造成本非常低廉。
29.2
Mao Takashima
Thin Film Electronics, Inc.
在 300 毫米不锈钢箔基板上制成以汐墨为基底多晶矽 CMOS TFT 11:00 AM-11:20 AM
雷射结晶CMOS TFT 是应用矽油墨在300 毫米薄不锈钢基板上制成。此流程一向用来制作以半导体等级油墨制成的逻辑电路(logic circuit) 装置,而该装置具有与PECVD 相等的TFT 特性。这项技术为制作大量且低成的RF 打下基础(RF指的是:有13.56 MHz 显示器与感测系统整合的软性耐用基板,又薄、面积又大。)
29.3
Di Geng
Kyung Hee University
应用松散堆积 a-IGZO TFT 的集成式闸极驱动电路,加在高解析度可挠式 AMOLED 显示器上 11:20 AM-11:40 AM
我们将此高解析度可挠式 AMOLED 显示器加装间距 40 微米的集成闸极驱动电路 (integrated gate-driver),放置在塑胶上展示。闸极驱动电路采用松散堆积 a-IGZO TFT,在 VDD 为 20 V 时,其以机械弯曲半径 2 毫米与时钟频率 250 kHz运作,等于 2 μs 的脉冲宽度。
29.4
Soeren Steudel
imec
加装整合闸极驱动电路的可挠式 AMOLED 显示器,其运作速度与 4k x 2k 显示器的速度相容 11:40 AM-12:00 PM
我们展示的是一个解析度为 250 ppi 的 QVGA 上发光 AMOLED 显示器,采用自我校准的 IGZO TFT 背板,并放置在完全屏障的聚醯亚胺基板上。背板的加工流程是以 7 层光刻流程为基础。另外,我们也展示一个整合闸极驱动电路 (integraetd gate driver),其运作速度等于 4k x 2k 显示器的速度。

显示周学术会议: 星期 三, 6月3日2015年

33.1
Tadahiko Hirai
CSIRO
新型垂直发光电晶体 3:30 PM-3:50 PM
我们完成一个新型的垂直发光电晶体 (vertical-type light-emitting transistors, VLTs),结合金属氧化物电晶体与有机发光二极管 (organic light emitting diode, OLED)。在初始VLT 装置中,开/ 关比(ON/ OFF ratio) 为3.7,而增益 (Gain) 为16.7。此外,我们也完成一个 42” 4K VLT 面板,装置在传统非晶矽 (amorphous silicon, a-Si) 背板上,并附加高速回馈补偿电路。
33.2
Mutsumi Kimura
Ryukoku University
应用 TFT 的神经元 MOS 装置 3:50 PM-4:10 PM
我们应用 TFT 开发出神经元 MOS 装置。这些装置具备以电容连接的多输入浮动闸极终端 (floating and multiple input gate teminals)。我们评估了神经元 MOS 电晶体与神经元反流器 (neuron inverter),后者可以作为可变阈值电压反流器,另外我们也评估了一个全能逻辑电路。此神经元 MOS 装置极可能适用于人工神经元网路。
33.3
Alan Heeger
University of California, Santa Barbara
由高分子半导体制成的高速迁移率场效电晶体 4:10 PM-4:30 PM
本文介绍以自组装的单向校列 (self-assemble unidirectional alignment) 和有效率的电荷传输 (efficient charge transport) 为一般策略,适用于放置在粗糙化Si/SiO2 基板上的高分子半导体膜 (semiconducting polymer films)。在一倾斜通道系统中,我们利用三明治铸造法 (sandwich casting),由功能化的间隙子 (spacers) 产生毛细作用,在基板上沿着单轴奈米沟槽自组装成高分子半导体。透过玻璃间隙子的不同表面处理方式,我们可以自行控制毛细作用的强度。装置的迁移率 (mobility) 超过50 cm2/Vs。本文将会详细介绍定向自组装技术 (Directed Self-Assembly),也会依据初始能带结构(band structure) 的计算结果讨论高迁移率的数据。
33.4
Hsing-Hung Hsieh
Polyera Taiwan Corp.
可挠式 IGZO TFT 的有机闸绝缘体,具突破性、光图型化与热稳定等特性 4:30 PM-4:50 PM
我们开发一个 IGZO TFT 专用的新型有机闸绝缘体; 它不但能光图型化 (photo-patternable) 而且具热稳定 (thermally stable)。可挠式IGZO TFT 结合最佳化装置平台,并展现出突破性能,其中包括高速迁移率、可忽略的迟滞 (negligible hysteresis)、良好的热稳度性、偏压温度稳定性 (bias-temperature stress stablity) 等。目前我们正在制作一个运用这些技术的可挠式 AMOLED。
33.5
Kazuhiro Fukada
Japan Advanced Institute of Science and Technology
如何利用全网印,制造出氧化物半导体 TFT 主动矩阵背板 4:50 PM-5:10 PM
我们利用网版印刷 (screen printing),作了一个氧化物半导体薄膜电晶体主动矩阵背板 (TFT AMBP)。我们利用此全新设计成功制出一个全网印 TFT AMBP。此网版印刷方式不仅可以应用在印制组装用的电极,还可以应用在印制大型电子装置的多层图案。

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年

39.1
Vivek Subramanian
University of California, Berkeley
以透明氧化物制成的印制无机晶体管 9:00 AM-9:20 AM
以无机氧化物制成的透明晶体管具备高性能与优异的光学透明度,所以近年来备受重视。大家对发展适用于大面积且可挠式显示器的印刷方法特别关注,因看到潜力,希望藉此实现一个可规模化的低成本制程。本文回顾我们以铟钖氧化物 (ITO) 发展印制透明氧化物晶体管的成果。我们讨论奈米粒子与先期溶胶凝胶油墨之间的合成与构成,以用于印制透明导体、半导体与介电质。我们也说明此油墨可以如何应用新型喷墨和凹版印刷流程达到整合,以成功制作出高性能全印制透明氧化物晶体管。
39.2
Kenji Nomura
Qualcomm Technology, Inc.
氧化物半导体 p 通道 TFT 之近期发展 9:20 AM-9:40 AM
目前大家广泛认为氧化物半导体 TFT 是可以应用于新一代显示器与软性电子的技术,因为它造就优异的装置特性和具有加工需要的高兼容性。若要使此技术可以更广为利用,高性能 p-信道 TFT 依旧是一个必须克服的关卡。在本文中我们回顾氧化物半导体 p-通道 TFT 之近期发展,并讨论我们如何增进它的装置的性能。
39.3
Yongbin Jeong
LG Display Co. Ltd.
奈米材料的新观点:应用石墨烯制作显示器装置 9:40 AM-10:00 AM
我们首先利用石墨烯奈米材料 (graphene nano-material) 制作透明电极层,尽可能地应用于消费性显示器装置上。我们开发新材料与流程法制作此装置,结果性能表现超乎以往。报告中我们会谈到石墨烯透明电极层的实用性以及功函数的控制。
39.4
Mauro Furno
Novaled GmbH
适用于可挠式 AMOLED 显示器的 V-OFET 10:00 AM-10:20 AM
我们呈现的垂直有机场效晶体管 (vertical organic field effect transistors, V-OFET) , 必要时可以驱动非常高的电流,以应用于高亮度 AMOLED 显示器。我们介绍如何将 V-OFET 作为驱动晶体管,集成在塑料基板上的软性背板内。若与参考的 AMOLED 显示器相比, 此设计可以将亮度提升约4倍。

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年

45.1
Shunpei Yamazaki
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
以 CAAC-IGZO 为例,谈晶体氧化物半导体的未来发展 10:40 AM-11:00 AM
经详细分析后, 发现 CAAC-IGZO 结晶型态细密稳定,与单晶与及非晶结构不同。本研究利用 CAAC-IGZO 场效晶体管 (field-effect transistors) ,进一步将 CAAC-IGZO 应用在大规模集成电路和新型显示器中,81吋 8K4K 显示器就是一例。
45.2
Bin Zhu
Cornell University
溅镀 CAAC-IGZO 结晶薄膜:实验设计研究 11:00 AM-11:20 AM
利用实验设计方法 (DOE) 研究具C 轴对齐结晶氧化铟镓锌 (CAAC-IGZO) 的射频溅镀沉积 (RF sputter deposition) 。研究显示锌的成分及溅镀气体 (sputter gas) 、沉积温度 (deposition tempreature) 、氧分率 (oxygen fraction) 会影响配向 (alignment) 质量。另外,最佳的沉积情形符合成核/ 成长 (nucleation/growth) 模型。
45.3
Eunha Lee
SAIT, Samsung Electronics Co.
高效能奈米结晶 ZnOxNy 成像及显示器应用 11:20 AM-11:40 AM
本文介绍多功能 ZnOxNy,此材料可广泛应用于成像/ 显示器设备。优化的 ZnOxNy 材料展现高迁移率 (mobility) ,数值高于100 cm2V-1s-1,能隙 (bandgap) 为 1.3 eV ,且有多相 (multiphase) 的奈米结晶微结构 (nanocrystalline microstructure) 。因此以 ZnOxNy 制造的设备可因应未来电子/ 光子设备基础的需求,不可或缺。
45.4
Lei Liao
Wuhan University
非晶金属氧化物/1D 奈米材料复合式 TFT:高速宏电子技术的新途径 11:40 AM-12:00 PM
薄膜晶体管 (TFT) 广泛应用于软性电子 (flexible electronics) 与信息显示设备。非晶金属氧化物 (amorphous metal oxide materials) 的透明性、可靠度高,且处理温度低,富有潜力,可应用于触控式面板等透明及软性电子器材,因此广受瞩目。目前大部分的 TFT 都利用非晶氧化锌铟 (a-IZO) 、铟锡氧化物 (Indium tin oxide) 、氧化锌、氧化铟 (In2O3) 、氧化铟镓锌 (indium gallium zinc oxide) 或其他氧化半导体作为溶胶-凝胶 (sol-gel route) 的通道材料 (channel material) ,而效率可与晶态硅材料比拟。

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年

51.1
Chih-Yu Su
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.
迁移率与可靠度高的 a-IGZTO TFT 1:30 PM-1:50 PM
本文探讨一高迁移率的铟镓锌锡氧化物 ( Indium-Gallium-Zinc-Tin-Oxide a-IGZTO ) TFT 。此种新型 TFT 场的效迁移率 (field effect mobility) 可达 24.7 cm2/Vs,且可靠度与 a-IGZO TFT 相当。除此之外,结果显示,由 a-IGZTO TFT 制造的 4Kx2K AMOLED TV 效能卓越。
51.2
Liangchen Yan
BOE Technology Group Co. Ltd
为 AMOLED 而开发的高迁移率之氮氧化锌 TFT 1:50 PM-2:10 PM
现在已开发出用氮氧化锌 (Zinc Oxynitride ZnON) 当做主动层的蚀刻阻挡 (etch stopped) 结构 TFT ,且组件迁移率 (saturation mobility) 超过 50 cm2/Vs。ZnON TFT 的 I-V 表现佳且较均匀。本文探讨由 ZnON TFT 驱动的 14 英吋 WOLED 面板,并评估此类面板的高温运作及低温运作可靠度。
51.3
Ming-Yen Tsai
National Sun Yat-Sen University
利用多重主动层结构提高 TFT 的迁移率 2:10 PM-2:30 PM
本文使用含有多重主动层的氧化物 TFT,讨论增进迁移率的方法。主动层照导电性不同,依序镀上 (deposit) ,此步骤可使用不同的材料和处理情形。多重主动层作为载子局限结构 (carrier confinement structure) ,包含底层、中层、顶层。中层的载子浓度较底层和顶层高,因此主要通道电流 (main channel current) 留经中层,防止闸极电介层 (gate insulator) /主动层和主动层/保护层 (passivation) 之间的干扰,进而提高迁移率。结果显示多重氧化物 TFT 与单层相比,迁移率较高,达到 46.5 cm2/Vs。
51.4
Xiangfeng Duan
Unversity of California at Los Angeles
以氧/ 碳异质结构制成高性能柔性 TFT 2:30 PM-2:50 PM
透明氧化物为新的 TFT 材料,逐渐受到重视,但因电子效能与机械弹性 (mechanical flexiblity) 低,因此使用受限。本文探讨使用氧/ 碳奈米管复合材料 (oxide/carbon nanotube composite) 与碳/ 石墨烯垂直异质结构 (oxide/graphene vertical heterostructures ) 增进 TFT 电子特性和前所未见的机械弹性。

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年

57.1
Myung-Koo Kang
Samsung Electronics Co.
使用光压诱发晶核形成技术的高效能 Poly-Si TFT 3:10 PM-3:30 PM
我们在此提出一个利用光压诱发晶核形成 (pressure-induced nucleation, PIN) 来改善多晶硅薄膜晶体管 (poly-Si TFT) 的简单方法。经过 PIN 形成的 TFT 只经过 6 次雷射曝光就能展现大于 160 cm2/Vs 的高场效迁移率 (high field-effect mobility)。
57.2
Mototaka Ochi
Kobe Steel, Ltd.
BCE-TFT 搭配可兼容铜导线与铝导线的 IGZTO 半导体 3:30 PM-3:50 PM
们开发出一款铟镓锌钖氧化物 ( IGZTO) 半导体 ,此款氧化物半导体是能够高度抗酸蚀的通道材料。IGZTO TFT主要是靠后通道蚀刻 (Back Channel Etch, BCE) 实现,且 BCE 不只为铝导线 (Al interconnections) 用了传统的磷酸、醋酸及硝酸蚀刻 (PAN etchant) ,还为铜导线 (Cu internnections) 用了以二氧化二氢为主的蚀刻 (H2O2-based etchant) 。
57.3
Makoto Kaneyasu
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
新画素电路:利用晶氧半导场效晶体管之闸极偏压以控制临界电压 3:50 PM-4:10 PM
我们研发了一款利用背闸偏压 (back-gate bias voltage) 的临界电压补偿画素电路 (threshold voltage compensation pixel circuit)。临界电压的变量能够降到10%,驱动晶体管 (driving transistor) 的饱和特性则能得到提升。我们有一款 5.29 英吋 Quad-VGA OLED 显示器即是使用这款画素电路。
57.4
Ananth Dodabalapur
The University of Texas at Austin
非晶氧化 TFT 的装置原理 4:10 PM-4:30 PM
本报告将回顾三个项目:高/低于临界传输的电荷、降低缺陷密度 (trap density) 的技巧,与非晶态金属氧化物晶体管 (amorphous metal oxide transistors)的装置架构。报告针对的非晶态金属氧化物晶体管是以溶液制造的,为最先进的非晶态金属氧化物晶体管。此外,报告将讨论非晶铟镓锌氧化物 (amorphous zinc tin oxide) 与其它系统的半导体。

显示周学术会议: 星期 四, 6月5日2015年

63.1
Naoki Ueda
Sharp Corp.
采用 InGaZnO 的超高密度 736-ppi LCD 9:00 AM-9:20 AM
我们开发出一款 736ppi (WQXGA) 的 LCD, 像素密度达 4K ,是智能型手机首款采用氧化物半导体的 LCD。运用可大量规模化的信道蚀刻型 InGaZnO TFT ,加上新型透明接触结构 (transparent contact structure) 而成。我们使用制造背板用的图案尺寸 (patterning dimension) ,达成超过 50% 的开口率 (aperture ratio) 。
63.2
Takashi Nakamura
Japan Display, Inc.
采用通道宽度 1.5-µm LTPS-TFT 的 2k x 4k 550-ppi 内嵌式触控 TFT-LCD 9:20 AM-9:40 AM
我们开发出一款 2K x 4K 像素密度 550 ppi 的 LTPS TFT-LCD。本产品储存电容 (storage capacitance) 的通道较窄,绝缘体也较细,因此在垂直串音 (vertical cross-talk) 与电压闪烁 (flicker) 方面能够达到较高的显示质量。另外,本产品也采用 RGBW 像素技术与额外的 30Hz 帧率驱动(frame rate driving)以提供不影响显示质量的低耗能模式。
63.3
Kenichi Okazaki
Advanced Film Device, Inc.
制作 8K x 4K 有机 EL 面板时,采用高迁移率 IGZO 材料 9:40 AM-10:00 AM
此款 13.3 英吋 8K x 4K OLED 显示器采用以高迁移率 IGZO 为材料的氧化物半导体。我们发现使用迁移率较高的材料能够减少闸极驱动电路 (gate driver) 的大小与耗电量,此外,堆栈这样的氧化物半导体层能够增加制程的稳定性。
63.4
bo-liang Yeh
AU Optronics Corp.
使用后通道蚀刻氧化物 TFT (BCE-Type TFT) 的 4K x 2K 65 吋高效能电视 10:00 AM-10:20 AM
本文探讨使用氧化物薄膜晶体管 (TFT) 效能的 4K x 2K 65 英吋电视。不正常的次临界漏电流 (subthreshold leakage current) 在高温下是因主动层块材 (active layer bulk) 与 GI/主动层接口而造成的。本文最后探讨之情况只适用于一种特定类型装置的 Vt 偏移 (-1V),即是在 NBIS 下以色料作为保护层 (passivation layer) 的装置。

显示周学术会议: 星期 四, 6月5日2015年

69.1
Toshiaki Arai
JOLED, Inc.
AMOLED 显示器使用顶闸自对准氧化物 TFT 技术的优点 10:40 AM-11:00 AM
近年来,许多人都致力研发用于主动矩阵显示 (active matrix display) 的氧化物薄膜晶体管 (TFT) ,许多人也期待氧化物 TFT 能部分取代低温多晶硅 TFT (LTPS TFT ) 来驱动 AMOLED 显示器,主要原因是因为氧化物 TFT 成本低、均匀性高,并且能用于大尺寸显示器。本文为氧化物 TFT 提出一款顶闸自行对准 TFT (self-aligned top gate TFT),并探讨改善偏压温度 (bias temperature stress) 的方式。
69.2
Chanki Ha
LG Display Co., Ltd.
a-IGZO TFT 可靠度高,且具自行对准共平面式结构,适用大尺寸超高画质 OLED 电视 11:00 AM-11:20 AM
此款自行对准共平面式氧化物 TFT (self-aligned coplanar oxide TFT) 是针对大尺寸超高画质 OLED 电视所设计,采用金属化主动式薄膜 (metallized active film) 作为源极/汲极区。由于使用的是很轻薄的防护层,所以能够抑制光致临界电压 (photo-induced threshold voltge) 偏移并维持优异的产出特性。而使用 8.5 代 的 a-IGZO TFT,其临界电压的差异极大值约为 0.57 V,且 a-IGZO TFT 具有良好的可靠度,临界电压在施加 1 小时 PBTS 后为 0.07 伏特,经过 10 小时的 CS 后为 0.03 V。这对于大尺寸超高画质 OLED 电视的商业化扮演十分重要的角色。
69.3
Kuo-jui Chang
AU Optronics Corp.
利用双闸结构提高 a-IGZO TFT 的稳定性 11:20 AM-11:40 AM
本文聚焦于利用不同顶闸电压,测试双闸非晶相铟镓锌氧化物 (a-IGZO) TFT 的正偏压温度应力 (PBTS) 稳定度、负偏压温度应力 (NBTS) 稳定度,与负偏压照光应力 (NBIS) 稳定度。结果显示双闸 TFT 比传统的底闸 TFT 展现更高的 PBTS/ NBTS 应力稳定性 (临界电压 ΔVth 偏移较小),且 NBIS 的应力表现也比传统的底闸 TFT 更好。

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年

P1
Shigeki Sawada
Ryukoku University
专为立体式显示器开发:主动矩阵离子聚合物金属聚合物的电流共应驱动方法 5:00 PM-8:00 PM
我们为立体式显示器 (stereoscopic display) 开发出一种主动矩阵离子聚合物金属合成 (active-matrix ionic polymer-metal composite) 的电流供给驱动法。多晶硅 (Poly-Si) TFT 是以 ELC 制造,而离子金属聚合物复合物 (IPMC) 则是使用离子聚合物 (ionic polymer) 与金电极 (gold electrode) 的真空蒸发制造。画素电路是由三个为一组共两组的晶体管,提供足够的交流电。
P2
Kuo Chen-Hao
AU Optronics Corp.
LTPS 模型撷取的创新方法,含磁滞现象 (Hysteresis) 与瞬时电流分析 5:00 PM-8:00 PM
本文使用时间取样测量法 (time-sampling measurement) 来建立时间相依 (time dependent) LTPS TFT 的电流模型。我们的装置模型考虑了偏压与时间相依的临界电压 (Vth) 偏移,也考虑了迁移率的弱化 (mobility degradation)。本装置模型藉由 GUDM 安装在 Eldo 上,目的是用来仿真像素电路 (pixel circuit),并以此作为面板表现的指标。
P3
Wei-Chu Hsu
AU Optronics Corp.
能补偿 TFT 特性的变异并减少 OLED 弱化的新 LTPS 画素电路 5:00 PM-8:00 PM
本文讨论的画素补偿电路采电压式架构 (voltage-programmed method) ,为了 AMOLED 显示器使用了 6 个低温多晶硅 (LTPS) TFT 和 1 个电容器 (capacitor)。这款画素电路能够补偿 TFT 临界电压的变异并增加 OLED 的寿命,使之展现较佳的补偿效果。
P4
Hyungsu Jeong
Carnegie-Mellon University
结合指纹辨识的双闸感光 TFT 和主动矩阵显示的可行性研究 5:00 PM-8:00 PM
若将一层透明 ITO 导电层放在显示驱动 TFT 之上,就会形成一双闸感光 TFT (dual-gate photosensitive TFT) 。此双闸感光 TFT 能使显示画素具备指纹感应功能。本文提出一分析模块,说明指纹成像 (fingerprint imaging) 与显示驱动 (display driving) 的原理。
P5
Akinari Matoba
Industrial Research Institute of Ishikawa
适用 TFT 网版印刷制程的氧化物半导体/ 聚碳酸丙烯酯黏着剂 5:00 PM-8:00 PM
为了以网版印刷 (screen printing) 制造 TFT ,我们开发出一款氧化物半导体黏着剂,以碳酸丙烯(Propylene carbonate, PC)作为黏剂控制黏性。利用网版印刷印制的通道层 (channel layer) 能展现理想的半导体特性。
P6
Manoj Nag
Imec
缓冲层对自对准顶闸 a-IGZO TFT 特性的影响 5:00 PM-8:00 PM
本文呈现以不同技术放置的缓冲层对自对准 (self-aligned, SA) 顶闸 a-IGZO TFT 特性的影响,此些技术包括电浆辅助化学气相沉积 (plasma enhanced chemical deposition, PECVD) 、物理气相沉积 (physical vapor deposition, PVD) 与原子层沉积 (atomic layer deposition, ALD) 等等。最后,一层优化的缓冲层在聚酰亚胺箔 (polyimide foil) 上与 TFT 背板结合,而我们也呈现了一款 QQVGA AMOLED 显示器。
P7
Saeroonter Oh
LG Display Display Co., Ltd.
改善顶闸共面 a-IGZO TFT 的 PBTS 稳定性 5:00 PM-8:00 PM
我们藉由优化缓冲层 (buffer layer) 与闸极绝缘层 (gate insulator layer) 改善顶闸共面 a-IGZO TFT 的 PBTS 稳定性。接口的陷阱密度 ( trap density) 是由光子电压法 (photonic capacitance-voltage measurement) 测量得到,而结果显示陷阱密度与 PBTS 的特性互相关联。闸极绝缘层接口的相互扩散 (inter-diffusion) 现象能减少电子陷阱缺陷 (electron trap defect),因此能将 PCTS 的临界电压从 4.2V 改善到 0.5 V。
P8
Ming-Yen Tsai
National Sun Yat-Sen University
探讨双闸 IGZO TFT 底/ 顶闸门闸扫描功能在 NBIS 下的弱化反应 5:00 PM-8:00 PM
本文探讨双闸 a-IGZO TFT 底/顶闸门闸扫描功能 (sweep) 中,由照光负底/顶闸偏压效应 (illumintated negative bottom/top gate bias effect) 引起的弱化现象。顶闸扫描功能在电流启动时时,传导电子主要靠来源端屏障 (barrier) 主导的扩散电流 (diffusion current)。我们也发现无论顶闸与底闸的应力为何,弱化现象在两闸的状况都完全不同。当在底闸照明时使用负偏压 (NBIS),弱化现象会在闸极绝缘层由阻挡电动迁移 (hole-trappying) 主导。但是在顶闸闸极的弱化现象,在 NBIS 下则是则是在蚀刻停止层 (etch-stop layer) 由阻挡电动迁移主导。阻挡电动迁移区域在两闸的差异造成了两闸各自门闸扫描功能的弱化现象。
P9
Xin He
改善双闸 a-IGZO TFT的电性稳定性 5:00 PM-8:00 PM
我们研究了分布式供电 (DG) a-IGZO TFT 的电稳定性。在闸极偏压下,DG 装置的临界电压比 SG 装置要小的多。因为 DG 电极屏蔽作用,改善电稳定性是来自于垂直电场 (vertical electric field) 的调低以及较有效的抗湿气 (moistrue resistance) 。
P10
Kyung-Chul Ok
Hanyang University
直流反应溅镀制造之 ZnON 与 ZnO TFT 的比较研究 5:00 PM-8:00 PM
我们制造了直流反应溅镀的氧化锌 (ZnO) TFT 与氮氧化锌 (ZnON) TFT,以此探讨氮元素在 ZnO 矩阵中扮演的角色。在 250°C 低真空退热后,ZnON TFT 展现了极佳的装置效能 (Vth = -0.16V, µsat = 40.87cm2/Vs and SS = 0.77V/decade),比 ZnO TFT 在真空探刺环境 (~10-3 torr) 下的表现好 (Vth = 3.28V, µsat = 0.99 cm2/Vs and SS = 1.22 V/decade) 。我们分别以 X 光绕射 (X-ray diffraction) 与 X 光吸收光谱 (X-ray absorption spectroscopy) 分析了物理结构与电性结构,并以 X 光吸收光谱分析化学链接状态。结果发现将氮用在直流反应溅镀 (DC reactive spurring) 上能够抑制长晶 (crystal growth) 的形成;另外,因为有 Zn-N 链接,氮用在直流反应溅镀上也能改善迁移率。
P11
Yukinori Shima
Advanced Film Device, Inc.
通道蚀刻的 CAAC-OS FET,使用多层 IGZO 5:00 PM-8:00 PM
我们应用掩埋通道 (buried channel) 效应,藉由堆栈组成不同的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜来改善通道蚀刻场效晶体管 (FET) 的可靠度。此外,我们也开发了一款使用 IGZO 多层 CCAC (c-axis-aligned crystal) FET 作为背板的液晶显示器。
P12
Kyung Park
Yonsei University
c-IGZO TFT 的特性研究 5:00 PM-8:00 PM
为了达到装置的高效能,我们以退火处理 (annealing) 将铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜液晶化,并且调查 c-IGZO TFT 在不同应力状态下的电性与可靠度,将之与 a-IGZO 比较。此外,我们也研究 IZGO 厚度对 c-IGZO 电性的影响。
P13
Yoichi Kurosawa
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
氧化物半导体奈米尺度结构对 FET 的影响 5:00 PM-8:00 PM
我们研究了铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜的奈米结构 (nano-scale structure) ,研究了薄膜水分脱着 (H2O desorption) 的量,并讨论了其对场效晶体管 (FET) 属性的影响。我们认为 IGZO 薄膜如果具有高结晶度与低量水分脱着,则对 FET 属性的均匀性有利。
P14
En-Chih Liu
Advanced Technology Center, Chunghwa Picture Tubes, Ltd.
窄框 FFS 模式 WQHD 4.9 英吋 600-ppi LCD 搭载改良过的 ESL 式 a-IGZO TFT 5:00 PM-8:00 PM
我们开发出一款新的 LCD ,其特色为 4.9 吋窄框,具 FFS 模式 WQHD (2560x1440) ,像素密度 600ppi ,采用改良的 ESL 式 a-IGZO TFT 。显示器是以第四代非晶硅 (a-Si) TFT 的原设备制造,改良 ESL 式 TFT 的开关电流比 (Ion / Ioff ratio) 是 10^8 。
P15
Meng ZHANG
The Hong Kong University of Science and Technology
利用金属锌靶材的反应式溅镀,制造出自对准顶闸锌氧化物 TFT 5:00 PM-8:00 PM
我们以金属锌标的 (metallic zinc target) 的反应式溅镀 (reactive sputtering) 制造出自对准 (self-aligned) 顶闸氧化锌 (ZnO) TFT。藉由优化沉淀状态 (deposition condition) ,我们做出了高效能 TFT ,其场效迁移率 (field effect mobility) 达 37.5 cm2/Vs ,开-关比 (on/off ratio) 达 3.8×108。具备掺磷源极/汲极 (source/drain) 的 ZnO TFT 能展现良好的热不稳定性。
P16
Pan Shi
Peking University
低温玻璃上制造双层信道 ITO/ MZO TFT 之研究 5:00 PM-8:00 PM
高效能双层通道 ITO/MZO TFT 已经能成功在低温环境中于玻璃基板上制造,此款 TFT 的双层通道是由 ITO 层与 MZO 层组成。比较后发现使用 a-ITO 层能够加强次临界摆幅 (subthreshold swing),改善饱和迁移率 (saturation mobility),并减少临界电压,效果比 MZO TFT 要来得好。
P17
Fengjuan Liu
BOE Technology Group Co. Ltd.
适用 AMOLED 设备的高迁移率 ITZO BCE 式 TFT 5:00 PM-8:00 PM
我们制造了后信道蚀刻式 (BCE type) 的氧化物半导体 TFT,此款 TFT 采用氧化铟锡锌 (ITZO) 作为通道材料,具备高迁移力 (mobility) 与高光可靠度 (photo reliability)。迁移力超过 25 cm2/Vs ,BITS 的临界电压偏移则成功降至 0.4 V 。目前已经制造一款 13.3 英吋顶部发光型 (top-emission) 的 AMOLED 面板。
P18
Zhongyuan Wu
BOE Technology Group Co., Ltd.
IGZO 面板时间相依临界电压偏移模块的撷取与仿真 5:00 PM-8:00 PM
本文讨论应力对铟镓锌氧化物 (IGZO) 面板效能的影响。不同于传统观察临界电压变异的方法,我们还纳入了转移特性曲线 (ID-VG) 连续测试的时间相依性 (time dependency),藉此建立精准的临界电压偏移模块。此模块能够用于仿真 IGZO TFT 在固定偏压下的电流改变,辅助电路设计与电路优化。
P19
Forough Mahmoudabadi
Lehigh University Display Research Laboratory
应力对铝基板制 的 a-IGZO TFT 在特性上的影响 5:00 PM-8:00 PM
本文研究弯折导致的应力 (strain) 对 a-IGZO TFT 特性的影响,本研究使用的 a-IGZO TFT是以保形 (conformal) 的铝基板制造的。本研究成功展示铝基板上的 IGZO TFT ,显示未来铝基板在可挠式显示器与电极设备上的应用具有发展空间。
P20
Xiaolin Wang
BOE Technology Group Co., Ltd.
氧化物TFT 的设计对临界电压改变的影响 5:00 PM-8:00 PM
氧化物 TFT 具有不稳定的临界电压,是制造时最主要的困难点。为了要改善稳定性,制造氧化物半导体的主要重点放在改良材质与调整制程。测验结果显示合理的设计(如 浮动 SD 与 IGZO 分离等)能够减少临界电压改变。本文主要解释 TFT 形状对临界电压改变的影响,并说明此影响的原理。
P21
Xiaodi Liu
BOE Technology Group Co., Ltd.
低氢介电薄膜对 a-IGZO TFT 属性之影响 5:00 PM-8:00 PM
我们将低氢介电薄膜 (dielectric film) 沉积用在电浆辅助化学气相沈积 (PECVD) 上,并且探讨使用此介电的 IGZO 底闸 TFT 特性。 结果发现此款低氢介电 IGZO TFT 仍然维持氧化物背板的电场,其 PBTS 降到了 0.481V,NBTS 则降到了 -0.269V。
P22
Xiaming Zhu
BOE Technology Group Co., Ltd.
具铜栅极、汲极与源极的高效能 a-IGZO TFT 5:00 PM-8:00 PM
我们针对具有铜闸与汲极/ 源极电极 (source/drain electrodes) 的 a-IGZO TFT 开发了一套制程。在优化 TFT 结构与制程之后,TFT 的表现足以驱动大尺寸 AMOLED 。本文探讨配有铜闸与汲极/ 源极电极的 IGZO TFT 背板的三项特性,分别为 TFT 制程、均匀性与可靠度。最后我们成功研发出具备高效能 a-IGZO TFT 铜电极背板的 14吋 qHD AMOLED 显示器与 55 吋 uHD AMOLED 显示器。
P23
Nam-Kyun Tak
Silvaco Korea
仿真 TFT 的漏电流的校准程序 5:00 PM-8:00 PM
我们将说明如何把测量数据精确计算为 TCAD 的仿真数据,这不只与 DOS 的影响有关,这也与工作函数 (occupation functions) 在 TFT 中的或然率所扮演的角色有关。只要在 Silvaco Atlas 设备仿真器套用 DOS 模型与 BBT 模型,就能得到 TFT 的详尽信息与更好的设备分析结果。
P24
Rongsheng Chen
The Hong Kong University of Science and Technology
pSi TFT 的 BG 金属诱发结晶制程,缩短退火时间 5:00 PM-8:00 PM
搭桥晶粒 (Bridged-grain, BG) 金属诱发结晶 (metal induced crystallization, MIC) 的薄膜晶体管 (TFT) 技术具备极大的发展潜力,可能能够使新一代的高分辨率大尺寸平板显示器成真。非晶硅 (a-Si) TFT 的 MIC 液晶化制程需要大约 10 小时,这样的时间能够增加平板显示器制造的工站时间 (tact time)。增加镍的量则能够减少液晶化制程需要的时间。我们研究镍量的多寡对 a-Si 薄膜液晶化制程的影响,以及其对 BG MIC TFT 电性表现的影响,此外我们也探讨了 BG 线数量与宽度对 BG MIC TFT 电性的影响并寻找 BG 线数量与宽度的最佳化状况。
P25
Yeong-gyu Kim
Yonsei University
以 VGA 层来改善 IGZO TFT 的正偏压稳定性 5:00 PM-8:00 PM
为了加强 a-IGZO TFT 的偏压稳定性,我们提出了一个放置垂直分级氧空位主动层 (vertically graded-oxygen-vacancy active layer, VGA) 的简单方法。在正偏压 (PBS) 的状况下,被优化 VGA TFT 的临界电压偏移获得了大幅的改善。
P26
Yang-Shun Fan
Display Institute, National Chiao Tung University
使用氧化物萧特基二极管与单极电阻式矩阵的高效能内存 5:00 PM-8:00 PM
我们展示以掺铝氧化锌 (Al-doped zinc tin oxide, AZTO) 为基础的萧特基二极管 (Schottky diode) 与电阻式内存 (resistive switching memory, RRAM) ,由于热退火处理 (post-deposition annealing) 改善了萧特基二极管的正向电流,所以我们藉 SPICE 模拟达成了电阻式内存与双向选择器整合技术 (1D1R) 。此外,我们分析了可能矩阵大小 (array size) 的读取极限 (read margin) ,发现 1k 位数组能藉由 AZTO 型 1D1R 设备的反串扰 (anti-crosstalk) 属性达成。
P151
Huaping Li
Atom Nanoelectronics
在 AMLED 显示器的 LED 数组印刷像素电路 5:00 PM-8:00 PM
我们印制了一个完整的主动矩阵 LED 模型﹐此模型结合了奈米碳管 (carbon nanotubes) 控制电路。这款表现佳的极纯单壁奈米碳管 TFT 能为室内外的扩增实境 (augmented reality) 提供超高亮度与超低电耗的技术,对于民用或军用的显示装置都是极为实用的。
P152
Si Joon Kim
Yonsei University
利用垂直扩散技巧以低温制成 IGZO TFT 的简易方法 5:00 PM-8:00 PM
我们为制造溶液制程 (solution-processed) IGZO TFT 提出一创新的简易策略,即是在低退火温度下以垂直扩散 (vertical diffusion) 技术制造。此技术能在维持电性表现的情况下,大幅降低制程温度 (<300°C) ,在制造可挠式/透明氧化物 TFT 时十分管用。
P153
Jae Won Na
Yonsei University
控制双层溶液处理 IGZO TFT 的接口位置以改善电性 5:00 PM-8:00 PM
我们将两层不同莫耳浓度 (molarity) 的主动层 (active layer) 重迭,制造了一款电力表现提升的 IGZO TFT。这款 IGZO TFT 的电场迁移率与 PBS 稳定性都藉由控制莫耳浓度得到了改善。
P154
Seonghyun Jin
Kyung Hee University
以蓝光雷射退火处理提高氧化物 TFT 的稳定性 5:00 PM-8:00 PM
我们制作了一款高稳定性的 a-IGZO TFT ﹐这款 a-IGZO TFT 具备传统的后信道蚀刻结构﹐以蓝光 (445 nm) 雷射退火技术完成。在经过负偏压与光照射应力之后﹐经过蓝光雷射照射的 TFT 与其它未经照射的 TFT 相比﹐负临界电压变异显得较小。
P155
Won Gi Kim
Yonsei University
以高压退火低温活化 IGZO TFT 5:00 PM-8:00 PM
我们探讨了高压退火 (high-pressure annealing) 的功能,以高压退火作为活化能 (activation energy) 来源,在摄氏 100 度的环境下制造 a-IGZO 信道层。我们在氧气压力下用热活化 (thermal activation) 来加速通道层的形成并改善正偏压稳定性。